α、β表面污染測(cè)量?jī)x
α、β表面測(cè)量?jī)x適用于低水平α、β輻射表面污染檢測(cè)。儀器采用雙閃探測(cè)器,具有較高的探測(cè)效率;同一探頭能同時(shí)測(cè)量α、β、γ,并自動(dòng)區(qū)分α和β粒子和γ劑量率,是環(huán)境試驗(yàn)室、核醫(yī)學(xué)、分子生物學(xué)、放射化學(xué)、核原材料運(yùn)輸、存儲(chǔ)和商檢等領(lǐng)域進(jìn)行α、β輻射表面污染檢測(cè)的理想儀器。
特點(diǎn)
l計(jì)數(shù)器阻塞報(bào)警提示與保護(hù)功能
l可對(duì)α、β/γ分開(kāi)測(cè)量,可選α核素識(shí)別
l內(nèi)置大容量鋰電池,實(shí)時(shí)顯示電池容量
l探測(cè)器采用雙閃晶體,靈敏度高,響應(yīng)速度快
l背景燈功能,方便在夜間和光線不足的環(huán)境中使用
l大尺寸點(diǎn)陣液晶顯示,測(cè)量結(jié)果顯示清晰、直觀
l觸摸式按鍵,操作輕松、方便
l符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的各種報(bào)警閾值可供選擇,也可自行定義
l 4GB大容量存儲(chǔ)可儲(chǔ)存10萬(wàn)組數(shù)據(jù)供隨時(shí)查看,數(shù)據(jù)打印,可與上位機(jī)進(jìn)行通訊(配分析軟件)
l主機(jī)與探頭連接電纜可擴(kuò)展到1.5公里,也可進(jìn)行無(wú)線對(duì)接
l主機(jī)內(nèi)置GM探測(cè)器,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)操作人員周?chē)h(huán)境
l整機(jī)防水效果IP65
主要參數(shù)指標(biāo)
v探測(cè)器:雙閃探測(cè)器ZnS(Ag)涂層、塑料閃爍體晶體
v主機(jī)為惰性探測(cè)器
v主機(jī)γ劑量率:0.01--30000μSv/h(可擴(kuò)展到10sv/h)
v探測(cè)器面積:180cm2
v核素庫(kù):20個(gè)內(nèi)置核素庫(kù),可進(jìn)行制定核素活度測(cè)量,且可自定義
v計(jì)數(shù)范圍:1~1000000
v探測(cè)效率:α≥50%(對(duì)239Pu),β≥50%
v靈敏度:α表面活度響應(yīng)>s-1Bq-1cm2;β表面活度響應(yīng)>7s-1Bq-1cm2
v測(cè)量本底:每分鐘計(jì)數(shù)α≤0.1CPS,β≤25CPS
v測(cè)量時(shí)間:1、10、20、60、120秒可選
v顯示單位:CPM、CPS、Bq/cm2、mSv、μGy/h、mGy/h
v相對(duì)基本誤差:≤±10%
v環(huán)境特性:工作溫度范圍:-10℃~+45℃
v相對(duì)濕度范圍:≤90%(40℃)
v供電電源:鋰電池
v功耗:整機(jī)電流≤150mA
α、β表面測(cè)量?jī)x適用于低水平α、β輻射表面污染檢測(cè)。儀器采用雙閃探測(cè)器,具有較高的探測(cè)效率;同一探頭能同時(shí)測(cè)量α、β、γ,并自動(dòng)區(qū)分α和β粒子和γ劑量率,是環(huán)境試驗(yàn)室、核醫(yī)學(xué)、分子生物學(xué)、放射化學(xué)、核原材料運(yùn)輸、存儲(chǔ)和商檢等領(lǐng)域進(jìn)行α、β輻射表面污染檢測(cè)的理想儀器。
特點(diǎn)
l計(jì)數(shù)器阻塞報(bào)警提示與保護(hù)功能
l可對(duì)α、β/γ分開(kāi)測(cè)量,可選α核素識(shí)別
l內(nèi)置大容量鋰電池,實(shí)時(shí)顯示電池容量
l探測(cè)器采用雙閃晶體,靈敏度高,響應(yīng)速度快
l背景燈功能,方便在夜間和光線不足的環(huán)境中使用
l大尺寸點(diǎn)陣液晶顯示,測(cè)量結(jié)果顯示清晰、直觀
l觸摸式按鍵,操作輕松、方便
l符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的各種報(bào)警閾值可供選擇,也可自行定義
l 4GB大容量存儲(chǔ)可儲(chǔ)存10萬(wàn)組數(shù)據(jù)供隨時(shí)查看,數(shù)據(jù)打印,可與上位機(jī)進(jìn)行通訊(配分析軟件)
l主機(jī)與探頭連接電纜可擴(kuò)展到1.5公里,也可進(jìn)行無(wú)線對(duì)接
l主機(jī)內(nèi)置GM探測(cè)器,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)操作人員周?chē)h(huán)境
l整機(jī)防水效果IP65
主要參數(shù)指標(biāo)
v探測(cè)器:雙閃探測(cè)器ZnS(Ag)涂層、塑料閃爍體晶體
v主機(jī)為惰性探測(cè)器
v主機(jī)γ劑量率:0.01--30000μSv/h(可擴(kuò)展到10sv/h)
v探測(cè)器面積:180cm2
v核素庫(kù):20個(gè)內(nèi)置核素庫(kù),可進(jìn)行制定核素活度測(cè)量,且可自定義
v計(jì)數(shù)范圍:1~1000000
v探測(cè)效率:α≥50%(對(duì)239Pu),β≥50%
v靈敏度:α表面活度響應(yīng)>s-1Bq-1cm2;β表面活度響應(yīng)>7s-1Bq-1cm2
v測(cè)量本底:每分鐘計(jì)數(shù)α≤0.1CPS,β≤25CPS
v測(cè)量時(shí)間:1、10、20、60、120秒可選
v顯示單位:CPM、CPS、Bq/cm2、mSv、μGy/h、mGy/h
v相對(duì)基本誤差:≤±10%
v環(huán)境特性:工作溫度范圍:-10℃~+45℃
v相對(duì)濕度范圍:≤90%(40℃)
v供電電源:鋰電池
v功耗:整機(jī)電流≤150mA